晶體式多級(jí)串聯(lián)的方法，需求處理環(huán)流問(wèn)題，而且功率低，在工業(yè)出產(chǎn)過(guò)程中，消耗太大；功率晶體模組變頻方法反應(yīng)慢，功率有限，作業(yè)電壓低，耐壓在600V左右，輸出選用PAM濾波方法（為單方波加低次濾波），輸出波形失真較大。這兩種方法制造的電源產(chǎn)品功率仍舊不能滿意日益增長(zhǎng)的需求，所以大功率的負(fù)載需求變頻測(cè)驗(yàn)時(shí)，多選用電機(jī)后拖動(dòng)發(fā)電機(jī)的方法（M+G）來(lái)滿意。

電機(jī)后拖動(dòng)發(fā)電機(jī)的方法（M+G）在運(yùn)用過(guò)程中，存在磨損，以及功率轉(zhuǎn)換問(wèn)題。后來(lái)參閱美國(guó)技能，選用SCR來(lái)做逆變器，該方法制造的電源，功率大，能滿意客戶運(yùn)用，比較好的用于取代電機(jī)后拖動(dòng)發(fā)電機(jī)的方法（M+G），但是該系列的產(chǎn)品有一個(gè)較大的缺點(diǎn)，機(jī)器在轉(zhuǎn)換的過(guò)程中，噪音非常大，到達(dá)70dB<1m定制電源

跟著半導(dǎo)體技能的開(kāi)展，在80年代末，富士出產(chǎn)出了代的IGBT，該電子器件的特性集成了GTR及MOSFET的長(zhǎng)處，開(kāi)關(guān)速度快，通流才能強(qiáng)，故很快就被應(yīng)用到逆變范疇。跟著實(shí)力強(qiáng)大的三菱、西門(mén)康、英飛凌等廠家在IGBT范疇的加入，使得IGBT的開(kāi)展速度日新月異，更新?lián)Q代的速度加速，IGBT的開(kāi)關(guān)速度及通流才能得到進(jìn)一步的加強(qiáng)，這樣，就使得大功率的變頻電源的制造得以完成。

知道變頻電源的安裝擺置應(yīng)該注意的當(dāng)?shù)貑幔?/span>

調(diào)速時(shí)滑潤(rùn)性好，功率高。低速時(shí)，特性靜關(guān)率較高，相對(duì)穩(wěn)定性好。

變頻器的運(yùn)用環(huán)境溫度一般適用在-10℃～ 40℃，濕度在低于90的環(huán)境作業(yè)中。環(huán)境溫度若高于40℃時(shí)候，每升高1℃，變頻器應(yīng)降額5運(yùn)用。環(huán)境溫度每升10℃，則變頻器壽命折半，所以周圍環(huán)境溫度及變頻器散熱的問(wèn)題一定要處理好。

變頻變壓電源、變壓穩(wěn)壓電源等一切電源產(chǎn)品都應(yīng)該遠(yuǎn)離火源及高溫，以防溫度過(guò)高。

防止油霧、鹽分對(duì)變頻電源的腐蝕。請(qǐng)將變頻電源置于通風(fēng)杰出的當(dāng)?shù)?，其周圍至少離其他物體30公分以保持進(jìn)風(fēng)孔通風(fēng)。變頻電源的正常運(yùn)轉(zhuǎn)環(huán)境為溫度0℃～40℃，濕度0～90非凝結(jié)狀況防止將變頻電源置于含有腐蝕氣體與振動(dòng)、磁場(chǎng)干擾的當(dāng)?shù)亍７乐箤⒆冾l電源放置在陽(yáng)光直射，雨淋或濕潤(rùn)之地。請(qǐng)勿將60HZ電源、400HZ電源以及其他各種電源產(chǎn)品置于不平或傾斜之處。

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