晶體式多級串聯(lián)的方法，需求解決環(huán)流問題，并且效率低，在工業(yè)出產(chǎn)過程中，耗費太大；功率晶體模組變頻方法反響慢，功率有限，作業(yè)電壓低，耐壓在600V左右，輸出采用PAM濾波方法（為單方波加低次濾波），輸出波形失真較大。這兩種方法制造的電源產(chǎn)品功率仍舊不能滿意日益增長的需求，所以大功率的負載需求變頻測驗時，多采用電機后拖動發(fā)電機的方法（M+G）來滿意。

電機后拖動發(fā)電機的方法（M+G）在運用過程中，存在磨損，以及效率轉(zhuǎn)化問題。后來參考美國技能，采用SCR來做逆變器，該方法制造的電源，功率大，能滿意客戶運用，比較好的用于替代電機后拖動發(fā)電機的方法（M+G），可是該系列的產(chǎn)品有一個較大的缺陷，機器在轉(zhuǎn)化的過程中，噪音非常大，達到70dB<1m定制電源

跟著半導(dǎo)體技能的發(fā)展，在80年代末，富士出產(chǎn)出了代的IGBT，該電子器件的特性集成了GTR及MOSFET的長處，開關(guān)速度快，通流能力強，故很快就被應(yīng)用到逆變范疇。跟著實力強大的三菱、西門康、英飛凌等廠家在IGBT范疇的參加，使得IGBT的發(fā)展速度日新月異，更新?lián)Q代的速度加速，IGBT的開關(guān)速度及通流能力得到進一步的加強，這樣，就使得大功率的變頻電源的制造得以實現(xiàn)。

變頻變壓電源、變壓穩(wěn)壓電源等一切電源產(chǎn)品都應(yīng)該遠離火源及高溫，以防溫度過高。

防止油霧、鹽分對變頻電源的腐蝕。

請將變頻電源置于通風(fēng)良好的當(dāng)?shù)?，其周圍至少離其他物體30公分以堅持進風(fēng)孔通風(fēng)。

變頻電源的正常工作環(huán)境為溫度0℃～40℃，濕度0～90（非凝結(jié)狀態(tài)）

避免將變頻電源置于含有腐蝕氣體與振動、磁場攪擾的當(dāng)?shù)亍?/span>

避免將變頻電源放置在陽光直射，雨淋或濕潤之地。

請勿將60HZ電源、400HZ電源以及其他各種電源產(chǎn)品置于不平或歪斜之處。

變頻器驅(qū)動規(guī)范電機時，和工頻電源比較，損耗將有所添加，低速耐冷卻時效果變差，電機溫升將添加。因此低速時應(yīng)降低電機的負載力矩。電機高速運行時（60Hz以上）電動勢平衡及軸承特性等改動。

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